杨树✍️

杨树，女，1990年6月5日出生，安徽合肥人，中国科学技术大学国家示范性微电子学院教授、博士生导师。

杨树的主要研究方向是宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。2006年至2010年，杨树就读于复旦大学，获得微电子学学士。2010年至2014年，她就读于香港科技大学，获得电子及计算机工程博士学位。2014年至2016年，杨树担任香港科技大学客座助理教授。2016年，她在剑桥大学担任博士后研究员。同年，杨树回到中国后，她进入浙江大学电气工程学院工作，是浙江大学“百人计划”研究员，具有博士生招生资格。2021年11月9日，杨树受邀在中国科学技术大学高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“氮化镓功率器件及功率集成”的学术报告。2023年6月21日，杨树参加“科学榜YOUNG”活动。2025年6月18日，杨树参加中国科学技术大学微电子学院2025届毕业典礼。

杨树自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，还研制出国际上首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题。她共发表80余篇SCI/EI论文，编写英文专著章节2章。2016年，杨树入选首届CASA第三代半导体卓越创新青年。2018年，她获得IEEE ISPSD青年研究员奖。2022年，杨树获得达摩院青橙奖。

人物经历

早年经历

1990年6月5日，杨树出生。2006年至2010年，她就读于复旦大学，并获得微电子学学士。2010年至2014年，杨树就读于香港科技大学，获得电子及计算机工程博士学位。

工作经历

2014年至2016年，杨树担任香港科技大学客座助理教授。2016年，杨树在剑桥大学担任博士后研究员。9月1日，杨树在中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所作学术报告。同年，杨树回到中国后，她进入浙江大学电气工程学院工作，是浙江大学“百人计划”研究员，具有博士生招生资格。

2021年11月9日，杨树受邀在中科大高新区GT-B111教室为学校师生作了题为“氮化镓功率器件及功率集成”的学术报告。2022年11月3日，时任浙江大学电力电子技术研究所副所长的杨树被授予“青橙奖”。2023年6月21日，杨树参加由杭州市科协主办，杭州市科技工作者服务中心承办的“科学榜YOUNG”活动。2024年9月11日，杨树参加中国科学技术大学国家示范性上海交通大学微电子学院研究生新生开学典礼暨入学教育大会。2025年6月18日，杨树参加中国科学技术大学微电子学院2025届毕业典礼。

研究方向

杨树的主要研究方向是宽禁带半导体功率器件设计、微纳制造及可靠性研究。

工作成果

科研综述

杨树自主研制出1kV/1.1mΩ·cm2单极型和1.8kV/0.5mΩ·cm2双极型垂直GaN器件，功率品质因数国际较为领先；研制出国际上首个无电流崩塌的新型垂直GaN器件，克服了长期困扰GaN器件的动态性能退化难题；提出了针对GaN器件的氮化界面层结构，有效抑制介质/GaN界面陷阱、提升器件可靠性。主持国家自然科学基金面上项目和青年项目、国家重点研发计划课题、教育部联合基金、浙江省杰出青年科学基金、台达电力电子重点项目、功率半导体企业委托项目等。

学术交流

杨树曾受邀在ECPE Workshop’2020、APWS’2019、COMMAD’2018、ISCS’2016、RFIT’2015等国际会议上10次做大会特邀报告。

学术论著

杨树共发表80余篇SCI/EI论文，其中以第一/通讯作者在功率器件领域权威期刊IEEE Electron Device Lett.、IEEE Trans. Electron Devices等发表SCI论文25篇，在该领域国际顶级会议IEEE ISPSD和IEEE IEDM发表论文11篇（接收率~15%）；4篇基本科学指标数据库高被引论文，论文总被引2788次，H因子为28，SCI他引1272次；引用候选人成果的学者涵盖了40余个国家（地区）和麻省理工学院、耶鲁大学、哈佛大学、剑桥大学、斯坦福大学、加利福尼亚大学伯克利分校等300余个研究机构，包括英飞凌、英特尔、TSMC、ON 半导体、NXP等51家国内外半导体公司，包括1位诺贝尔奖获得者、17位国内外院士和50位IEEE Fellow；参与诺贝尔科学奖得主Hiroshi Amano教授牵头的技术路线图《2018 GaN Power Electronics Roadmap》编写；1篇论文被选为SCI期刊Phys. Stat. Sol. A的封面；编写英文专著章节2章。她作为第一/通讯作者的研究成果7次被《Compound Semiconductor》和《Semiconductor Today》国际产业杂志专题报道。

学术服务

杨树担任《IEEE EDL》《IEEE T-ED》《APL》《PSS》等国际期刊的审稿人。

社会就职

人才培养

获得荣誉

个人作品

专著章节

期刊论文

会议论文

人物评价

杨树的研究领域是GaN半导体器件的核心技术及物理机理。GaN，即氮化镓，属于第三代半导体材料。她钻研的这项技术，可以极大提高电能转换效率，从而达到节能减排的效果，是目前先进国家及企业重点投入的半导体关键技术。除此，她作为第一作者的研究成果，被包括美国工程院院士、欧洲科学院院士、英国皇家工程院院士、中国科学院院士等以及多家国际领先半导体公司多次引用和正面评价。——（中国新闻网评）

杨树平时与老师们的交流也主要集中在学术领域，她是一个很积极的学生，交给她的任务都能很独立地完成，并不意外她能取得如此优异的成绩。——（杨树本科毕业设计导师，长江特聘教授、复旦大学微电子学院刘冉教授评）

杨树是极为谦虚及易于合作的学者，具有极为出色的理解能力和物理直觉，思维缜密，基础扎实。在导师及博士后的指导下能非常快速地找到问题的核心。——（香港科技大学博士生导师陈敬教授评）